Transistor MOSFET Vishay SI4431BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 5.7 A, SOIC de 8 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

5.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.5 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.55mm