MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.115
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 1.326,85
Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)
Estándar
20
$ 1.115
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 1.326,85
Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)
Estándar
20
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 20 - 80 | $ 1.115 | $ 22.300 |
| 100 - 180 | $ 893 | $ 17.860 |
| 200 - 480 | $ 847 | $ 16.940 |
| 500 - 980 | $ 804 | $ 16.080 |
| 1000+ | $ 758 | $ 15.160 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos