MOSFET Vishay SI2333DDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.470
$ 347 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 4.129
$ 412,93 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | $ 347 | $ 3.470 |
| 100 - 490 | $ 326 | $ 3.260 |
| 500 - 990 | $ 295 | $ 2.950 |
| 1000 - 2490 | $ 277 | $ 2.770 |
| 2500+ | $ 260 | $ 2.600 |
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P
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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