Transistor MOSFET Vishay SI2315BDS-T1-E3, VDSS 12 V, ID 3 A, TO-236 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.04mm

Profundidad

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm