Transistor MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 5.1 A, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V, 9 nC a 2,5 V
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Largo
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V, 9 nC a 2,5 V
Altura
1.02mm
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