MOSFET Vishay IRF9530PBF, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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P
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
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3
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300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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38 nC a 10 V
Anchura
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
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