MOSFET Vishay IRF9530PBF, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.904
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.265,76
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| 50 - 50 | $ 1.904 | $ 95.200 |
| 100 - 200 | $ 1.809 | $ 90.450 |
| 250+ | $ 1.714 | $ 85.700 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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País de Origen
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