Par Darlington, ULN2804A, NPN 0,5 A, 50 V, HFE:1000, PDIP, 18 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
0.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
18
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
8
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Temperatura Mínima de Operación
-20 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
23.24mm
Altura
3.93mm
Profundidad
7.1mm
Dimensiones del Cuerpo
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
0.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
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Tipo de Encapsulado
DIP
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Through Hole
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18
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Número de Elementos por Chip
8
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Temperatura Mínima de Operación
-20 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
23.24mm
Altura
3.93mm
Profundidad
7.1mm
Dimensiones del Cuerpo
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
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