Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
85000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
85000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto


