Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
85000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 21.600
$ 432 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 25.704
$ 514,08 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 21.600
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
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100 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
85000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.15mm
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