MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 168-7488Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP13NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Profundidad

4.6 mm

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 168.550

$ 3.371 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 200.574

$ 4.011,49 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

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Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Profundidad

4.6 mm

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

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