Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
360mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
360mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
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