Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Serie
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
H2PAK-6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de elementos por chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
193 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
15.25mm
Altura
4.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
P.O.A.
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Serie
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
H2PAK-6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de elementos por chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
193 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
15.25mm
Altura
4.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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