MOSFET STMicroelectronics STH270N8F7-6, VDSS 80 V, ID 180 A, H2PAK-6 de 7 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
H2PAK-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
15.25mm
Material del transistor
Si
Número de elementos por chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
193 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
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Tipo de Encapsulado
H2PAK-6
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7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
21 mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de elementos por chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
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