MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH310N10F7-6, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
H2PAK
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
10.4 mm
Altura
4.8mm
Largo
15.25mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 17.042
$ 8.521 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 20.280
$ 10.139,99 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 8.521 | $ 17.042 |
| 10 - 18 | $ 8.009 | $ 16.018 |
| 20 - 48 | $ 7.576 | $ 15.152 |
| 50 - 98 | $ 7.143 | $ 14.286 |
| 100+ | $ 6.820 | $ 13.640 |
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Tipo de Encapsulado
H2PAK
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de canal
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Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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Largo
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No
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No
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