STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
20A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
10.4mm
Altura
9.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 5.670
$ 1.134 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 6.747
$ 1.349,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.134 | $ 5.670 |
| 25 - 45 | $ 1.077 | $ 5.385 |
| 50 - 120 | $ 1.040 | $ 5.200 |
| 125 - 245 | $ 1.014 | $ 5.070 |
| 250+ | $ 989 | $ 4.945 |
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IGBT
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600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Temperatura Máxima de Operación
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No
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Altura
9.15mm
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No
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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