STMicroelectronics IGBT, STGP10NC60KD, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
20A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
9.15mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 72.300
$ 1.446 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 86.037
$ 1.720,74 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.446 | $ 72.300 |
| 100 - 200 | $ 1.408 | $ 70.400 |
| 250 - 450 | $ 1.372 | $ 68.600 |
| 500+ | $ 1.337 | $ 66.850 |
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20A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
9.15mm
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No
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No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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