MOSFET STMicroelectronics STF19NF20, VDSS 200 V, ID 15 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 79.550
$ 1.591 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 94.664
$ 1.893,29 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 79.550
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.591 | $ 79.550 |
| 100 - 200 | $ 1.194 | $ 59.700 |
| 250+ | $ 1.074 | $ 53.700 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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