MOSFET STMicroelectronics STF19NF20, VDSS 200 V, ID 15 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
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5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
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STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
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Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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25000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Largo
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
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