MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220FP
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
360mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
16.4mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 2.662 |
| 10 - 99 | $ 2.252 |
| 100 - 499 | $ 1.796 |
| 500 - 999 | $ 1.607 |
| 1000+ | $ 1.355 |
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Serie
MDmesh
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
360mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
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Profundidad
4.6 mm
Altura
16.4mm
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RoHS
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