Transistor MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FP, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP de 3 pines

Brand

Tipo de canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

450 mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima

35000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de elementos por chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

16.4mm