MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Disipación de potencia máxima Pd
115W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 9.215
$ 1.843 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.966
$ 2.193,17 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 1.843 | $ 9.215 |
| 10 - 95 | $ 1.553 | $ 7.765 |
| 100 - 495 | $ 1.210 | $ 6.050 |
| 500 - 995 | $ 1.030 | $ 5.150 |
| 1000+ | $ 860 | $ 4.300 |
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Encapsulado
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Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de Canal
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Disipación de potencia máxima Pd
115W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
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Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
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No
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