Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.4mm
Ancho
9.35mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Estándar
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.4mm
Ancho
9.35mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm


