MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5194Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB30NF10T4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Series

STripFET II

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

115000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.6mm

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 9.215

$ 1.843 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 10.966

$ 2.193,17 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 1.843$ 9.215
10 - 95$ 1.553$ 7.765
100 - 495$ 1.210$ 6.050
500 - 995$ 1.030$ 5.150
1000+$ 860$ 4.300

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Especificaciones

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N

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35 A

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Series

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Número de pines

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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115000 mW

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Material del transistor

Si

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1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

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40 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.6mm

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