IGBT, FGAF40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3PF
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
15.7 x 3.2 x 26.7mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 143.640
$ 4.788 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 170.932
$ 5.697,72 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.788 | $ 143.640 |
| 60+ | $ 4.549 | $ 136.470 |
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80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3PF
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
15.7 x 3.2 x 26.7mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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