IGBT, FGA20N120FTDTU, N-Canal, 40 A, 1200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 18.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
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3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 18.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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