Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 18.9mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 5.552
Each (Sin IVA)
$ 6.607
Each (IVA Incluido)
1
$ 5.552
Each (Sin IVA)
$ 6.607
Each (IVA Incluido)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 24 | $ 5.552 |
25 - 99 | $ 3.331 |
100 - 249 | $ 3.258 |
250 - 499 | $ 3.156 |
500+ | $ 3.083 |
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 18.9mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.