Documentos Técnicos
Especificaciones
Género del Extremo 1
Female
Tipo de Extremo 2
DIP
Género del Extremo 2
Male
Número de Contactos del Extremo 2
8
Tipo de Extremo 1
QFN
Número de Contactos del Extremo 1
8
Orientación del Cuerpo
Straight
Extremo 2
Macho DIP 8 Pines
Paso
1.27 mm, 2.54 mm
Extremo 1
Hembra QFN 8 Pines
Tipo de montaje
Through Hole
Brand
WinslowPaís de Origen
United Kingdom
Datos del producto
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
Controlador de puerta nivel lógico
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 8.994
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.702,86
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 120 | $ 8.994 | $ 44.970 |
125 - 370 | $ 8.094 | $ 40.470 |
375 - 995 | $ 7.185 | $ 35.925 |
1000 - 1995 | $ 6.297 | $ 31.485 |
2000+ | $ 5.847 | $ 29.235 |
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Género del Extremo 2
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8
Tipo de Extremo 1
QFN
Número de Contactos del Extremo 1
8
Orientación del Cuerpo
Straight
Extremo 2
Macho DIP 8 Pines
Paso
1.27 mm, 2.54 mm
Extremo 1
Hembra QFN 8 Pines
Tipo de montaje
Through Hole
Brand
WinslowPaís de Origen
United Kingdom
Datos del producto
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
Controlador de puerta nivel lógico
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.