MOSFET Vishay SIR690DP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 34,4 A, SO de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 134-9729Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR690DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

39 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

31,9 nC a 10 V

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SIR690DP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 34,4 A, SO de 8 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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N

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SOIC

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8

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39 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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Ancho

5.26mm

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