MOSFET Vishay SIR632DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 29 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9723Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR632DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

69.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.674

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.992,06

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SIR632DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 29 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 8.370
10$ 16.740
15$ 25.110
20$ 33.480
25$ 41.850
30$ 50.220
35$ 58.590
40$ 66.960
45$ 75.330
50$ 78.600
55$ 86.460
60$ 94.320
65$ 102.180
70$ 110.040
75$ 117.900

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35$ 58.590
40$ 66.960
45$ 75.330
50$ 78.600
55$ 86.460
60$ 94.320
65$ 102.180
70$ 110.040
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.674$ 8.370
50 - 120$ 1.572$ 7.860
125 - 245$ 1.423$ 7.115
250 - 495$ 1.338$ 6.690
500+$ 1.254$ 6.270

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

69.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Longitud

6.25mm

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.12mm

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