MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3215Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4431CDY-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Te puede interesar

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 1.115

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.326,85

Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 22.300
40$ 44.600
60$ 66.900
80$ 89.200
100$ 89.300
120$ 107.160
140$ 125.020
160$ 142.880
180$ 160.740
200$ 169.400
220$ 186.340
240$ 203.280
260$ 220.220
280$ 237.160
300$ 254.100

$ 1.115

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.326,85

Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 22.300
40$ 44.600
60$ 66.900
80$ 89.200
100$ 89.300
120$ 107.160
140$ 125.020
160$ 142.880
180$ 160.740
200$ 169.400
220$ 186.340
240$ 203.280
260$ 220.220
280$ 237.160
300$ 254.100

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 80$ 1.115$ 22.300
100 - 180$ 893$ 17.860
200 - 480$ 847$ 16.940
500 - 980$ 804$ 16.080
1000+$ 758$ 15.160

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Te puede interesar

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Te puede interesar