MOSFET Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34,8 nC a 8 V
Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 209
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 248,71
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3000
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| 6000+ | $ 199 | $ 597.000 |
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P
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8 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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