Transistor MOSFET Vishay SI1912EDH-T1-E3, VDSS 20 V, ID 1.13 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos

Código de producto RS: 710-3235Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1912EDH-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

2.05mm

Profundidad

1.25mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Transistor MOSFET Vishay SI1912EDH-T1-E3, VDSS 20 V, ID 1.13 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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0.45V

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2

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