Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
6.22mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 316
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
$ 376,04
Each (In a Tube of 75) (IVA Inc.)
75
$ 316
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
$ 376,04
Each (In a Tube of 75) (IVA Inc.)
75
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
6.22mm
Datos del producto