MOSFET Vishay IRFBG20PBF, VDSS 1.000 V, ID 1,4 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.049
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 3.628,31
Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 3.049 | $ 152.450 |
| 100 - 200 | $ 2.592 | $ 129.600 |
| 250+ | $ 2.440 | $ 122.000 |
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Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.7mm
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1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
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38 nC a 10 V
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