Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
3.4 x 3.4 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
4.5mm
Longitud:
3.4mm
Ancho
3.4mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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$ 511
Cada Uno (En una Bolsa de 10) (Sin IVA)
$ 608,09
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Bolsa |
|---|---|---|
| 10 - 90 | $ 511 | $ 5.110 |
| 100 - 240 | $ 501 | $ 5.010 |
| 250 - 490 | $ 405 | $ 4.050 |
| 500 - 990 | $ 378 | $ 3.780 |
| 1000+ | $ 307 | $ 3.070 |
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Infrared, Visible Light
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2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
50 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
3.4 x 3.4 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
4.5mm
Longitud:
3.4mm
Ancho
3.4mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
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