Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, rango onda λ 900 → 980 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm (T-1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
9000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
30 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.75 x 5.75 x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
900nm
Rango Espectral de Sensibilidad
900 → 980 nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
980nm
Altura
8.6mm
Longitud:
5.75mm
Profundidad
5.75mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores serie BPV11
La serie BPV11 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados estándar de 5 mm (T-1 3/4) con un encapsulado de plástico transparente o negro. Los encapsulados negros ofrecen un filtro de bloqueo de luz diurna para luz ambiental visible. La serie BPV11 es adecuada para usar como detectores en circuitos electrónicos industriales, medición y control.
Características de los fototransistores BPV11:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje de orificio pasante
3 contactos
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 30 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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$ 538
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
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5µs
Typical Rise Time
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1
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Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
30 °
Polarity
NPN
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1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.75 x 5.75 x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
900nm
Rango Espectral de Sensibilidad
900 → 980 nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
980nm
Altura
8.6mm
Longitud:
5.75mm
Profundidad
5.75mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores serie BPV11
La serie BPV11 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados estándar de 5 mm (T-1 3/4) con un encapsulado de plástico transparente o negro. Los encapsulados negros ofrecen un filtro de bloqueo de luz diurna para luz ambiental visible. La serie BPV11 es adecuada para usar como detectores en circuitos electrónicos industriales, medición y control.
Características de los fototransistores BPV11:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje de orificio pasante
3 contactos
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 30 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
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