MOSFET Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3, VDSS 30 V, PowerPAIR de 6 x 5 de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A (canal 1), 60 A (canal 2)
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAIR de 6 x 5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
26,6 W, 60 W.
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,6 (canal 1) nC a 10 V, 62 (canal 2) nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
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P.O.A.
3000
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Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A (canal 1), 60 A (canal 2)
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAIR de 6 x 5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
26,6 W, 60 W.
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,6 (canal 1) nC a 10 V, 62 (canal 2) nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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