MOSFET Vishay Siliconix SiA110DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 12 A, SC-70 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-3668Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiA110DJ-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SC-70, SOT

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,5 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix SiA110DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 12 A, SC-70 de 6 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

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12 A

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SC-70, SOT

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,5 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

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