MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.85mm
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$ 463
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 550,97
Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)
5000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | $ 463 | $ 2.315.000 |
| 10000+ | $ 428 | $ 2.140.000 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
TSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
3.1mm
Tensión de diodo directa
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