MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 796-5083Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK30E06N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

43,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

53000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Altura

15.1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 1.064

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.266,16

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.064$ 5.320
50 - 120$ 967$ 4.835
125 - 245$ 918$ 4.590
250 - 495$ 836$ 4.180
500+$ 766$ 3.830

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N

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TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

53000 mW

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Single

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1

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