Memoria FRAM Toshiba TC58BVG1S3HTAI0, 48 pines, TSOP, 2Gbit, 2048 x 8 bits, 40μs, 2,7 V a 3,6 V

Código de producto RS: 168-7834Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TC58BVG1S3HTAI0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tamaño de la Memoria

2Gbit

Organización

2048 x 8 bits

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

40µs

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

48

Dimensiones del Cuerpo

20 x 12mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

2048

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Número de Bits de Palabra

8

País de Origen

Japan

Datos del producto

Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba

BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.

BENAND™ SLC NAND Flash Memory

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P.O.A.

Memoria FRAM Toshiba TC58BVG1S3HTAI0, 48 pines, TSOP, 2Gbit, 2048 x 8 bits, 40μs, 2,7 V a 3,6 V

96

Disponible en múltiplos de 96
96P.O.A.
192P.O.A.
288P.O.A.
384P.O.A.
480P.O.A.
576P.O.A.
672P.O.A.
768P.O.A.
864P.O.A.
960P.O.A.
1056P.O.A.
1152P.O.A.
1248P.O.A.
1344P.O.A.
1440P.O.A.

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20 x 12mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Temperatura máxima de funcionamiento

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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