Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Profundidad
1.8mm
Altura
0.7mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Thailand
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$ 104
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 123,76
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 104
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$ 123,76
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | $ 104 | $ 312.000 |
6000 - 6000 | $ 99 | $ 297.000 |
9000+ | $ 94 | $ 282.000 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
390 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,2 V
Profundidad
1.8mm
Altura
0.7mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Thailand