MOSFET Texas Instruments CSD87334Q3DT, VDSS 30 V, ID 60 A, VSON de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 133-0157Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD87334Q3DT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.75V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Transistor Configuration

Dual Base

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,5 nC

Altura

1.05mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD87334Q3DT, VDSS 30 V, ID 60 A, VSON de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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VSON

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

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6 W

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-8 V, +10 V

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3.4mm

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2

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