MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, VDSS 100 V, ID 53 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 133-0155Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD19537Q3T
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, VDSS 100 V, ID 53 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, VDSS 100 V, ID 53 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más