MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-4919Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD19536KCS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

118 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.51mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

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N

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Profundidad

4.7mm

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Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

118 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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