MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4880PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18532KCS
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

169 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC a 4,5 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

16.51mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

169 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC a 4,5 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

16.51mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más