MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6968DCA RVG, VDSS 20 V, ID 6.5 A, TSSOP de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1040 mW
Transistor Configuration
Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.5mm
Profundidad
3.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N doble, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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$ 1.848
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 2.199,12
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
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Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.5mm
Profundidad
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Si
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