Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Serie
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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$ 8.726
$ 8.726 Each (Sin IVA)
$ 10.384
$ 10.384 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 8.726 |
| 5 - 9 | $ 8.300 |
| 10 - 24 | $ 7.450 |
| 25 - 49 | $ 6.899 |
| 50+ | $ 6.741 |
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Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
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Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Serie
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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No
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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