MOSFET STMicroelectronics STS5NF60L, VDSS 60 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 795-8868PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STS5NF60L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

55 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 5 V

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Altura

1.65mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET STMicroelectronics STS5NF60L, VDSS 60 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

55 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 5 V

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Altura

1.65mm

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