Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-30 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-30 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.